参数	值
产品	未分类
型号编码	IPI023NE7N3 G
说明	未分类   PG-TO262-3 TO-262-3
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	515 [库存更新时间：2025-04-02]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	75V
连续漏极电流Id	120A(Tc)
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.8V @ 273µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	206nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	14400pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	37.5V
功率	300W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	2.3 毫欧 @ 100A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO262-3
封装/外壳	TO-262-3